JBO竞博以区域来看，中国大陆、中国台湾和韩国都是2020年及2021年设备支出金额的前三大领先市场。中国大陆内地以及海外半导体厂商在晶圆代工和内存的强劲支出带动下，于2020年和2021年半导体设备总支出中跃居首位；中国台湾今年设备支出在2019年大幅增长68%之后将略微修正，预计将于2021年回升，反弹幅度达10%，让台湾地区稳坐设备投资的第二位；而韩国将超越2019年的表现，在2020年半导体设备投资中排行第三，也让该地区成为2020年第三大支出国。韩国设备支出在内存投资复苏推波助澜下，预计2021年将成长30%。其他的多数地区在2020年或2021年都有机会呈现增长态势。

　　7月20日KLA公司宣布推出革命性的eSL10?电子束图案化晶圆缺陷检查系统。该系统具有独特的检测能力，能够检测出常规光学或其他电子束检测平台无法捕获的缺陷，从而加速了高性能逻辑和存储芯片的上市时间，包括那些依赖于极端紫外线(EUV)光刻技术的芯片。eSL10的研发是始于最基本的构架，针对研发生产存在多年的问题而开发出了多项突破性技术，可提供高分辨率，高速检测功能，这是市场上任何其他电子束系统都难以比拟的。

　　三维器件结构，例如用于内存应用的3DNAND和DRAM，以及用于逻辑器件的FinFET和GAA(Gate-All-Around)结构，都要求晶圆厂重新考虑传统的缺陷控制策略JBO竞博。eSL10与KLA的旗舰39xx(“Gen5”)和29xx(“Gen4”)宽光谱晶圆缺陷检测系统的结合，为先进的IC技术提供了强大的缺陷发现和监测解决方案。这些系统共同合作，提高了产品的良率和可靠性，将更快地发现关键缺陷，并能够更快地解决从研发到生产的缺陷问题。

　　台积电于2018年开始量产7nm工艺，今年将量产5nm工艺，这让台积电在晶圆代工领域保持着领先地位。现在3nm工艺也在按计划进行。根据台积电的规划，3nm风险试产预计将于明年进行JBO竞博，量产计划于2022年下半年开始。

　　台积电在其官网披露的第二季度电线nm工艺，并表示将启动4nm工艺作为5nm工艺的延伸。此外，4nm工艺将兼容5nm工艺的设计规则JBO竞博，较5nm工艺更有性价比优势，瞄准的是下一波的5nm产品，计划在2022年大规模量产。

　　据日本媒体报导，由于先进芯片技术正成为国家安全问题的焦点，日本政府希望邀请台积电等全球先进芯片厂赴日本建厂，提振日本国内落后的芯片产业。日本政府计划在未来数年向参与该项目的海外芯片厂商提供数千亿日圆的资金。

　　台积电针对媒体报道关于日本计划邀请设厂一事回应称，目前没有相关计划，但不排除未来出现任何安排。

　　7月20日，应用材料公司今日宣布推出一项新技术，突破了晶圆代工-随逻辑节点2D尺寸继续微缩的关键瓶颈。

　　应用材料公司最新的选择性钨工艺技术为芯片制造商提供了一种构建晶体管和其它金属导线连接的新方法，这种连接作为芯片的第一级布线，起着至关重要的作用。创新型选择性沉积降低了导线电阻，从而提升晶体管性能并降低功耗。有了这项技术，晶体管及其导线纳米及以下，从而实现芯片功率、性能和面积/成本(PPAC)的同步优化。

　　日前，西门子已经签署了一项协议，收购总部位于加利福尼亚州圣克拉拉的AvatarIntegratedSystemsInc.，该公司是集成电路设计和布局布线软件的领先开发商。Avatar帮助工程师以更少的资源优化复杂芯片的功耗，性能和面积(PPA)。

　　根据报道，西门子计划利用Mentor的IC软件套件的一部分，将Avatar的技术添加到Xcelerator产品组合中，以利用不断增长的布局和路线细分。Avatar将与Mentor，西门子业务的现有市场领先产品集成在一起，包括Calibre平台，Tessent软件和Catapult HLS软件，以帮助客户开发解决当今和未来设计实施挑战的解决方案。

　　Avatar的产品基于2017年从ATopTechInc.收购的技术构建。该产品线包括从网表到GDS的全功能块级物理实现工具Aprisa和完整的顶级原型制作，平面规划和Apogee。芯片组装工具。业界顶级的半导体代工厂已通过Avatar的产品认证，可用于既定和先进的工艺节点(例如28nm和7nm)，目前正在开发6nm和5nm。

　　7月20日，浙江嘉善县与中芯聚源签订战略合作协议，在集成电路等高科技产业领域全面开展合作，将嘉善打造成为环沪区域集成电路细分产业集聚高地。

　　中芯聚源是由中芯国际集成电路制造有限公司发起设立的股权投资基金管理机构。自2014年成立以来，中芯聚源充分发挥中芯国际的集聚效应，打造国内集成电路产业发展相关的特色产业链，已投集成电路项目超过70个，多个项目已成功上市。

　　近年来，嘉善经济技术开发区将集成电路产业作为重点招商主攻方向，紧盯集成电路的设计、封测、核心器件及装备等环节的优质产业链项目，积极开展集成电路产业招商。同时，嘉善经济技术开发区不断加强、提升基础设施配套，利用现有资源抓紧推出专门针对芯片设计研发企业所需的定制园区、办公场所，加快推进集成电路产业园建设，为项目集聚发展提供优质环境、奠定良好基础、保障发展空间。

　　长沙三安第三代半导体项目总投资160亿元，总占地面积1000亩，主要建设具有自主知识产权的衬底(碳化硅)、外延、芯片及封装产业生产基地。包括长晶—衬作—外延生长—芯片制备—封装产业链，研发、生产及销售6吋SIC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiC MOSFET外延、SIC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET。

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