JBO竞博那是1947年的一个冬天，贝尔实验室的三位科学家发明了三极管，改变了世界，推动了全球的半导体电子工业。于是10年后又一个冬天，哥仨一起获得了诺贝尔物理学奖。

　　然而这三极管可不是被凭空发明出来的，从结构上看，她是由两个二极管组成，绝逼二极管“干儿子”。今天为您带来 “干爹”二极管的传奇故事。

　　在半导体性能被发现后，二极管成为了世界上第一种半导体器件，目前最常见的结构是，在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管，甚至可以说二极管实际上就是由一个PN结构成的，因此二极管工作原理约等于PN的工作原理，小编从源头讲讲二极管(PN结)到底是怎么来的?

　　我们一般根据导电能力(电阻率)的不同将物体来划分导体、绝缘体和半导体。更通俗地讲JBO竞博，完全纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体。主要常见代表有硅、锗这两种元素的单晶体结构。但实际半导体不能绝对的纯净，这类半导体称为杂质半导体。

　　如果我们在纯硅中掺入少许的硼(最外层有3个电子)，就反而少了1个电子，而形成一个空穴，这样就形成P型半导体(少了1个带负电荷的原子，可视为多了1个正电荷)。因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。

　　在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成;自由电子是少数载流子，由热激发形成。空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质因而也称为受主杂质。

　　如果在纯硅中掺杂少许的砷或磷(最外层有5个电子)，就会多出1个自由电子，这样就形成N型半导体，因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子，如图所示。

　　在N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供;空穴是少数载流子,由热激发形成。提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子，因此五价杂质原子也称为施主杂质。

　　在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体另一边形成P型半导体后，两种半导体的交界面附近的区域为PN结，如图所示。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。

　　PN结的每端都带电子，这样排列使电流只能从一个方向流动。当没有电压通过二极管时，电子就沿着过渡层之间的汇合处从N型半导体流向P型半导体，从而形成一个耗尽区。

　　在损耗区中，半导体物质会回复到它原来的绝缘状态--所有的这些“电子空穴”都会被填满，所以就没有自由电子，也就没有电流流动。

　　在电子电路中，将二极管的正极(P区)接在高电位端，负极(N区)接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。

　　只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V)以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V，硅管约为0.7V)，称为二极管的“正向压降”。

　　将二极管的正极(P区)接在低电位端，负极(N区)接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。

　　二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，此时二极管被击穿,这就是二极管的反向击穿特性，将在下一节介绍。

　　为了除掉耗尽区，就必须使N型向P型移动和空穴应反向移动。为了达到目的，将PN结N极连接到电源负极，P极连接到正极。这时在N型半导体的自由电子会被负极电子排斥并吸引到正极电子，在P型半导体的电子空穴就移向另一方向。当电压在电子之间足够高的时候，在耗尽区的电子将会在它的电子空穴中和再次开始自由移动，耗尽区消失，电流流通过二极管，如图所示。

　　若P极接到电源负极，N型接到正极。这时电流将不会流动。N型半导体的负极电子被吸引到正极电子。P型半导体的正极电子空穴被吸引到负极电子。因为电子空穴和电子都向错误的方向移动，所以就没有电流流通过汇合处，耗尽区增加，如图所示。

　　当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。发生反向击穿时，在反向电流很大的变化范围内，PN结两端电压几乎不变，如图所示。

　　反向击穿分为电击穿和热击穿，PN结热击穿后电流很大，电压又很高，消耗在结上的功率很大，容易使PN结发热，把PN结烧毁。热击穿是不可逆的。PN结电击穿从其产生原因又可分为雪崩击穿和齐纳击穿两种类型。

　　当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。通过空间电荷区的电子和空穴，在电场作用下获得的能量增大，在晶体中运动的电子和空穴，将不断地与晶体原子发生碰撞，当电子和空穴的能量足够大时，通过这样的碰撞，可使共价键中的电子激发形成自由电子—空穴对，这种现象称为碰撞电离。

　　新产生的电子和空穴与原有的电子和空穴一样，在电场作用下，也向相反的方向运动，重新获得能量，又可通过碰撞，再产生电子—空穴对，这就是载流子的倍增效应。

　　当反向电压增大到某一数值后，载流子的倍增情况就像在陡峻的积雪山坡上发生雪崩一样，载流子增加得多而快，使反向电流急剧增大，于是PN结就发生雪崩击穿。

　　雪崩击穿多发生在杂质浓度较低的二极管，一般需要比较高的电压(6V)，击穿电压与浓度成反比。

　　在加有较高的反向电压下，PN结空间电荷区中存在一个强电场，它能够破坏共价键将束缚电子分离出来造成电子—空穴对，形成较大的反向电流。

　　发生齐纳击穿需要的电场强度约为2*105V/cm，这只有在杂质浓度特别大的PN结中才能达到，因为杂质浓度大，空间电荷区内电荷密度(即杂质离子)也大，因而空间电荷区很窄，电场强度就可能很高。一般整流二极管掺杂浓度没有这么高，它在电击穿中多数是雪崩击穿造成的。

　　必须指出，上述两种电击穿过程是可逆的，当加在稳压管两端的反向电压降低后，管子仍可以恢复原来的状态。

　　但它有一个前提条件，就是反向电流和反向电压的乘积不超过PN结容许的耗散功率，超过了就会因为热量散不出去而使PN结温度上升，直到过热而烧毁，这种现象就是热击穿。

　　所以热击穿和电击穿的概念是不同的。电击穿往往可为人们所利用(如稳压管)，而热击穿则是必须尽量避免的。

　　采取适当的掺杂工艺，将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8～1000V。而齐纳击穿电压低于5V。在5～8v之间丽种击穿可能同时发生。

　　不一样,BC结的反向击穿电压低的几十伏,高的数百伏,但有一点是一样的,就是NPN管的BE结反向击穿电压都是6V左右,因此NPN管的BE结可当6V稳压管用。

　　补充：应该是所有硅材料管(PNP和NPN)的BE结都有反向击穿电压都是6V这特性，利用这特性可鉴别管子的C和E脚，用10K档分别测BC和BE的反向电阻，击穿的是BE结。

　　PN结的P型和N型两快半导体之间构成一个电容量很小的电容，叫做“极间电容”(如图所示)。由于电容抗随频率的增高而减小。

　　所以，PN结工作于高频时，高频信号容易被极间电容或反馈而影响PN结的工作。

　　但在直流或低频下工作时，极间电容对直流和低频的阻抗很大，故一般不会影响PN结的工作性能。

　　PN结的面积越大，极间电容量越大，影响也约大，这就是面接触型二极管(如整流二极管)和低频三极管不能用于高频工作的原因。

　　二极管比较容易损坏的元件，其烧坏容易造成线路短路或断路的情况，影响电器正常工作，因此需要掌握测试二极管好坏的方法。

　　关于如何使用数字万用表，请持续关注我的知乎，这里主要介绍数字万用表测试二极管好坏。

　　3) 将红表笔接二极管正极，黑表笔接负极。然后观察读数，如果满溢(即显示为1)，则二极管已坏。若有读数，则交换表笔，若还有读数而不满溢，则二极管坏。

　　4) 如果是发光二极管，若二极管正常，则可以看到微弱的亮光，长脚为正极。

　　二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度(硅管为140左右，锗管为90左右)时，就会使管芯过热而损坏。所以，二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。

　　加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电压值。

　　二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10，反向电流增大一倍。

　　二极管能承受的最高频率。通过PN结交流电频率高于此值，二极管接不能正常工作。

　　二极管长期正常工作时，所允许的最高反压。若越过此值，PN结就有被击穿的可能，对于交流电来说，最高反向工作电压也就是二极管的最高工作电压。

　　二极管能长期正常工作时的最大正向电流。因为电流通过二极管时就要发热，如果正向电流越过此值，二极管就会有烧坏的危险。所以用二极管整流时，流过二极管的正向电流(既输出直流)不允许超过最大整流电流。