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　　一种大功率电器元件，也称可控硅（Silicon ControlledRectifier，SCR），具有体积小、效率高、寿命长的特点。晶闸管作为一种功率开关器件，常替代继电器用于大功率电路控制中。普通的晶闸管与三极管的外形十分相似。晶闸管有三个极，分别是A极（阳极）、K极（阴极）、控制极（G极），常见的有单向晶闸管和双向晶闸管。

　　二极管又称半导体二极管，是半导体晶体管类器件中最常用也是最基本的器件。二极管最大的特性就是单向导电，根据二极管的不同用途，可分为普通二极管、发光二极管、肖特基二极管、稳压二极管等。

　　开关二极管：开关二极管的正向偏置导通电阻很低，施加反向偏置时关断电阻很大。利用二极管的单向导电特性，电流可以实现开关。

　　稳压二极管：利用PN结反向击穿时电压基本不随电流变化而变化的特点，达到调压的目的。

　　发光二极管：可以直接将电能转换为光能。具备耗电低、寿命长、体积小、驱动电压低、工作电流小等优点，多用于信号显示等电路中。

　　变容二极管：利用反向偏压改变PN结的电容，PN结两端的电容随反向电压的大小而变化，相当于可变电容器。

　　肖特基二极管：其特点是低功耗、大电流、超高速、反向恢复快。因此肖特基二极管常用于高频JBO竞博、大电流、低压整流电路中。

　　快恢复二极管：一种新型半导体二极管，具有良好的开关特性和较短的反向恢复时间，通常用作高频开关电源整流二极管。

　　瞬态电压抑制器（TVS）：一种常用的电路保护装置，具有响应时间快、浪涌吸收能力强的特点，主要用于瞬态电压抑制。

　　场效应晶体管与IGBT：场效应晶体管（Field Effect Transistor），是晶体管的一种。MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似，通常可作为开关元件使用JBO竞博。

　　电容器是一种容纳电荷的器件，用字母C表示，是电子设备中常用的电子元件之一。

　　电感器和变压器均是用绝缘导线绕制而成的电磁感应元件。电感器主要作用：对交流信号进行隔离、滤波或与电容器、电阻器等组成谐振电路；变压器主要作用：降低交流电压、提升交流电压、信号耦合、变换阻抗、隔离等。

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　　以电路的形式制作在半导体硅片上JBO竞博，然后接出引脚并封装起来，就构成了集成电路，又称芯片IC。所以这些基本的

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　　+命名规则： 1.电阻器(含电位器) 举例： RJ76表示精密金属膜电阻器 R——电阻器（第一部分） J——金属膜（第二部分） 7——精密（第三部分） 6——序号（第四部分） 2.电容器

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　　电路的核心元件。狭义上的三极管指双极型三极管，也是最基本最通用的三极管。广义上的三极管有很多种，包括双极型三极管、达林顿管、晶闸管等。