JBO竞博集微网消息，据外媒报道，随着碳化硅在功率半导体领域加速渗透，新一代宽禁带半导体材料的研究也日益活跃JBO竞博，在最近一期学术期刊IEEE Electron Device Letters中，伊利诺伊大学团队报告了具有创纪录击穿电压 (4612 V) 的金刚石材料肖特基二极管 (SBD)。该演示得益于创新的横向架构以及高导电触点再生方法和场板边缘端接技术。氧化铝场板在4.6kV反向偏压下的漏电流密度低于0.01mA/每平方毫米，是金刚石SBD有史以来报道的最高击穿电压之一。

　　当前，金刚石被公认为功率半导体技术演进的高潜力材料，具有最高的导热率，是已知的最硬半导体，具有高击穿场和高饱和速度以及最低的热膨胀系数，并具有超宽带隙和超高热导率。